N-TİPİ
Fazladan elektron veren katkıyla, çoğunluk taşıyıcısı negatif elektron olan yarıiletkendir.
ile/||/<>
P-TİPİ
Elektron eksikliği (boşluk) yaratan katkıyla, çoğunluk taşıyıcısı pozitif boşluk olan yarıiletkendir.
ile/||/<>
İNTRİNSİK
Hiç katkı içermeyen saf yarıiletkendir; elektron ve boşluk sayısı eşittir, iletkenliği yalnızca sıcaklıkla artar. İlk ikisi katkılanmış, üçüncüsü saf hâldir; katkılama iletkenliği denetlemeyi sağlar.
Fazladan elektron veren katkıyla, çoğunluk taşıyıcısı negatif elektron olan yarıiletkendir.
ile/||/<>
P-TİPİ
Elektron eksikliği (boşluk) yaratan katkıyla, çoğunluk taşıyıcısı pozitif boşluk olan yarıiletkendir.
ile/||/<>
İNTRİNSİK
Hiç katkı içermeyen saf yarıiletkendir; elektron ve boşluk sayısı eşittir, iletkenliği yalnızca sıcaklıkla artar. İlk ikisi katkılanmış, üçüncüsü saf hâldir; katkılama iletkenliği denetlemeyi sağlar.
FaRkLaR Kılavuzu
03 Temmuz 2026 | 22:13
( Formül: E_g(Si) = 1.1 eV )
FaRkLaR Kılavuzu
03 Temmuz 2026 | 22:58

Henüz yorum eklenmemiş. İlk yorumu siz ekleyebilirsiniz...